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onsemi FDB5800_F085
| Artikelnummer: | FDB5800_F085 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi FDB5800_F085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDB5800_F085.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 80A, 10V Verlustleistung (max) 242W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6625 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 80A (Tc) Grundproduktnummer FDB580 FDB5800_F085 Einzelheiten PDF [English] FDB5800_F085 PDF - EN.pdf -
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